2023년 5급 공채 기술 2차 전자회로(필수)

다음 회로에서 물음에 답하시오. (단, 연산증폭기는 이상적이고, 연산증폭기의 포화 출력 레벨은 ±12[V]이다. R_{{1}}＝R_{{2}}＝10[kΩ], C_{{1}}＝1[μF], C_{{2}}＝0.2[μF]이고, 연산증폭기 \mathrm{A}_{1}의 입력신호가 접점 1과 2를 1[ms]의 주기로 스위칭하며, 접점 간 이동시간은 무시하고, 최초 스위칭은 접점 1에서 2로 이동한다) (총 20점)
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다음 전압조정기 회로에서 물음에 답하시오. (단, BJT의 베이스－이미터 전압 V_{BE}＝0.7[V]이고, 전류 이득은 100이다. 연산증폭기는 이상적이고, R_{1}＝40[kΩ], R_{2}＝1[kΩ], R_{3}＝3[kΩ], R_{4}＝100[kΩ], R_{L}＝100[kΩ]이다. 제너다이오드의 양단전압 V_{Z}＝5[V], 입력전압 V_{{i n}}＝22[V]이고, 입력전압과 부하전류가 한정된 범위 내에서 동작한다) (총 20점)
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다음 회로에 대하여 물음에 답하시오. (단, BJT의 V_{BE}＝0.7[V], \beta_{{DC}}＝\beta_{{ac}}＝100이다. 또한 주어진 회로에서 R_{1}＝40[kΩ], R_{2}＝10[kΩ], R_{C}＝4.7[kΩ], R_{{E \, 1}}＝470[Ω], R_{{E \, 2}}＝470[Ω], R_{s}＝600[Ω], R_{L}＝47[kΩ], C_{1}＝10[μF], C_{2}＝10[μF], C_{3}＝100[μF], V_{CC}＝10[V], v_{{s}}＝100[mV], V_{T}＝25[mV]이다. 소수점 셋째 자리에서 반올림하시오) (총 20점)
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다음 회로에 대하여 물음에 답하시오. (단, g_{m} 1＝g_{m} 2＝g_{m} 3＝20[mS], \lambda_{1}＝\lambda_{2}＝\lambda_{3}＝0, R_{1}＝R_{2}＝4[kΩ], R_{{S \, 1}}＝50[Ω], R_{{S \, 2}}＝500[Ω], R_{{D \, 1}}＝R_{{D \, 2}}＝R_{B}＝2[kΩ], R_{L}＝150[Ω]이다. C_{{B \, 1}}, C_{{B \, 2}}, C_{{B \, 3}}, C_{{B \, 4}}는 중간주파수에서 임피던스를 무시할 만큼 충분히 크다) (총 20점)
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다음 공통 소스 증폭기 회로에 대하여 물음에 답하시오. (단, 회로를 구성하는 NMOS/PMOS 트랜지스터의 변수는 아래 표와 같으며, 트랜지스터 사이즈는 각각 \left( \frac{{W}}{{L}} \right)_{{M_{{1}}}} = \frac{{16}}{{2}}, \left( \frac{{W}}{{L}} \right)_{{M_{{2}}}} = \frac{{80}}{{2}}, \left( \frac{{W}}{{L}} \right)_{{M_{{3}}}} = \frac{{80}}{{2}}이다) (총 20점)

변수	NMOS	PMOS	단위
V_{{TH}} (문턱 전압)	1.1	-1.2	V
μㆍC_{{ox}}	5.2 \times 10^{{- 5}}	1.5 \, \times 10^{{- 5}}	A / V^{{\, 2}}
\lambda (채널 변조 효과)	0.03	0.02	V^{{\, - 1}}

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