2018년 5급 공채 기술 2차 전자회로(필수)

그림과 같은 전압분배 바이어스를 갖는 트랜지스터 회로에서 R_{{1}} = 10 k \Omega, R_{{2}} = 2.2 k \Omega, R_{{C}} = 3.6 k \Omega, R_{{E}} = 1 k \Omega, V_{{CC}} = 10 V일 때, 다음 물음에 답하시오. (단, 트랜지스터의 베이스와 이미터간 순방향 전압강하 V_{{BE}} = 0.7 V이고, 트랜지스터의 콜렉터－이미터 포화전압 V_{{CE ( sat )}} = 0.2 V이며, 전류이득 \beta_{{sat}} = 100이다) (총 20점)

다음 회로는 NMOSFET Q_{{N}} \,과 PMOSFET Q_{P}가 직렬로 연결된 CMOS 반전기(inverter)이다. 이 회로는 0.25 \mu m CMOS 공정으로 제작되었고 V_{{DD}} = 2.5 V, C = 10 fF, 문턱전압 V_{{tn}} = - V_{{tp}} = 0.5 V이고, \mu_{{n}} C_{{ox}} = 4 \, \mu_{{p}} C_{ox} = 115 muA / V^{2}, \lambda = 0(채널길이 변조현상 무시), 트랜지스터의 채널길이는 L = 0.25 mum이고 ( W / L )_{n} = 1.5이다. W \,는 트랜지스터의 채널 폭이다. 다음 물음에 답하시오. (총 20점)

다음과 같은 증폭회로에서, R_{{1}} = 100 k \Omega, R_{{2}} = 47 k \Omega, R_{{E}} = 3.9 k \Omega, R_{{C}} = 6.8 k \Omega, C = \infty, V_{{CC}} = 15 V, 얼리전압(Early Voltage) V_{{A}} = \infty, I_{{s}} = 8 \times 10^{{- 16}}, \beta = 100, V_{{T}} = 26 mV \,일 때, 다음 물음에 답하시오. (총 30점)
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다음의 회로에서 R_{{sig}} = 1 k \Omega, R_{{G}} = 100 k \Omega, R_{{D}} = R_{{L}} = 2 k \Omega, C_{{C \, 1}} = \frac{{1}}{{20 \pi}} muF, C_{{C \, 2}} = \frac{{1}}{{80 \pi}} muF, C_{{s}} = \frac{{10}}{{2 \pi}} muF일 때, 다음 물음에 답하시오. (단, MOSFET의 g_{{m}} = 10 mS, r_{{o}} = \infty, C_{{gs}} = 2 pF, C_{{gd}} = 0.2 pF, C_{{db}} ( C_{{ds}} ) = 0.1 pF이다) (총 30점)
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